Samsung, empresa líder en la fabricación de productos electrónicos de alta tecnología y en el sector de los medios digitales, ha anunciado su comienzo de la producción en masa de las primeras DRAM 2Gb DDR3 con tecnología de proceso de 40nm.
El nuevo chip de memoria 40nm ofrece una velocidad de datos de hasta 1.6 Gbps cuando se alimenta a 1.35 voltios, y está dispuesto a ser utilizado por Samsung para módulos DIMM y SO-DIMM con una capacidad de hasta 4GB, mientras que los módulos DIMM registrados para servidores van de 4 a 16GB.
A Samsung le ha costado siete meses, desde que la compañía desarrolló la nueva tecnología de proceso hasta que ha comenzado su producción en masa de la nueva DDR3. Además de optimizar los próximos sistemas, permitirá la aparición de módulos RDIMMs de 4, 8 y 16GB para servidores, módulos de hasta 4GB UDIMM para estaciones de trabajo, PCs de sobremesa, y SODIMM para el mundo móvil.
Según iSuppli, empresa que proporciona investigación de los componentes electrónicos en el mercado, espera que los 2Gb DDR3 representen el 82 por ciento del total del mercado DDR3 DRAM en las unidades vendidas en 2012, y convertirse en el principal producto DDR3 DRAM en 2010.