SRC (Semiconductor Research Corporation), líder mundial del consorcio de investigación tecnológica con nivel de conocimiento para crear avances que serán utilizados en el futuro por las industrias, y los investigadores de la Universidad de Yale, han desarrollado una nueva celda DRAM que se espera que avance la tecnología y la competitividad en el mercado de la tecnología DRAM.
Bautizado como Ferroelectric DRAM (FeDRAM), tiene una estructura muy similar a un transistor CMOS, y, comparado con los convencionales DRAM, es capaz de mejorar la escalabilidad, un menor tamaño de la celda, conservación de ordenes durante más tiempo, menor consumo de energía y la posibilidad de almacenar varios bits por celda.
«Ha habido varios grupos de investigación que han trabajado en las mismas estructuras ferroeléctricas para aplicaciones de memoria no volátil, pero creemos que esta es la primera solución innovadora FeDRAM para un problema de toda la industria», dijo Raymond John Wean, profesor de Ingeniería Eléctrica en la Universidad de Yale.
«Si somos capaces de mostrar a través de nuevas investigaciones que FeDRAM que posee las magníficas propiedades que hemos estado viendo hasta ahora, estos avances beneficiará al mercado global de las DRAM y a los consumidores con ventajas significativas en el coste y rendimiento», añadió el profesor.
Según los investigadores, el FeDRAM estará listo para ser utilizada en un futuro previsible, pero échale unos cuantos años.
