Samsung dice que ha comenzado la fabricación de dispositivos DDR3 en 50nm, lo que permite una energía más eficiente con los módulos de memoria RAM hasta 16 GB de capacidad.
La empresa dice que los 50nm ahorrarían más del 40% de energía en comparación con sus predecesores y que la fabricación de chips de 2 Gb ha aumentado la productividad en un 60%. La compañía dice que permitirá configuraciones de hasta 8 GB para RIMMs, así como 4 GB SODIMMs para portátiles. El uso de dobles paquetes la densidad sube a 16 GB para equipos de escritorio y servidores.
Samsung comunica que los dispositivos de 2 Gb soportan velocidades de transmisión de datos hasta 1.3 Gb/s en 1.5 o 1.35 voltios. Comenzará la producción en masa de chips de 2 Gb a finales de este año y 2 Gb DDR3 en el 2009.
El problema será la espera que tendremos que realizar para conseguir módulos de 16 GB asequibles para los usuarios domésticos, ya que ni siquiera están disponibles los módulos de 8 GB DDR3 e incluso sus predecesores DDR2 llegan a costar más de 1000€ actualmente.