En plena transición de la memoria (DDR2 -> DDR3) DDR3, y aun existiendo actualmente en el mercado módulos de memoria DDR3 que ofrecen excelentes características (capacidad, velocidad, consumo…), fabricantes de chips siguen trabajando en la memoria DDR3, Samsung en el desarrollo de DDR3 DRAM de 30nm, mientras que Transcend en módulos DDR3 con perfil ultra bajo.
Samsung ha anunciado que ha logrado hacer la primera DDR3 DRAM de 30nm con una densidad de 2Gb. Según la compañía, el uso de la tecnología de 30nm aumenta la productividad de la memoria DDR3 en un 60% en comparación con la que 40nm, mientras que reduce a la mitad el coste de producción respecto a las de 50nm/60nm. Además, reduce el consumo de energía hasta un 30% respecto a la DRAM de 50nm, y se podrá utilizar en equipos de sobremesa, portátiles, servidores, netbooks y otros dispositivos móviles, aunque su producción en masa comenzará a mediados de este año.
«El desarrollo de la próxima generación DRAM de 30nm debe mantenernos en la posición más competitiva en el mercado de la memoria», dijo Soo-Cho, Presidente de la División de Memoria de Samsung Electronics. «Nuestra tecnología de proceso de 30nm ofrece hoy en día la más tecnología más avanzada DDR3 de bajo consumo disponible, y las soluciones DRAM más eficientes del momento para la introducción de dispositivos de electrónica de consumo y los servidores».
Al mismo tiempo, Transcend ha presentado las últimas incorporaciones a su oferta de memoria con módulos DDR3 DIMM de 8GB y 4GB VLP (perfil muy bajo) DDR3 RDIMM. Ambos están equipados con sensores térmicos, hacen uso de chips de alta calidad DDR3 FBGA de 256Mx8 y están respaldados por una garantía de por vida. Los módulos de 8GB trabajan a 1066MHz, mientras que los de 4GB lo hacen a 1333MHz y únicamente tienen un alto de 1.88cm. Por el momento la compañía no ha revelado sus precios, pero están destinados para los servidores Xeon.
