Samsung ha anunciado hoy el desarrollo de chips NAND de 20nm, los cuales se pueden utilizar dentro de las tarjetas de memoria SD y en soluciones integradas. Según la compañía, su NAND MLC (multi-level cell) de 20nm tiene un nivel de productividad del 50 por ciento superior al NAND 30nm, presenta niveles superiores de fiabilidad, y permite la fabricación de tarjetas SD que ofrecen velocidades de lectura y escritura de 10MB/s.
«Hace sólo un año que se inició la producción de NAND 30nm-class y Samsung ya ha puesto a disposición la próxima generación NAND 20nm-class, que supera la mayoría de requisitos de los clientes, alto rendimiento y alta densidad de soluciones basadas en NAND», dijo Soo-In Cho, Presidente de la División de Memorias de Samsung Electronics. «La nueva NAND 20nm-class no sólo es un paso importante en el diseño de procesos, sino que también hemos incorporado las avanzadas tecnologías para permitir la innovación de un rendimiento inmejorable.»
Actualmente, Samsung está desarrollando tarjetas SD de 32GB con el nuevo NAND 20nm y espera dar comienzo su producción masiva de estos productos, con tamaños que van desde los 4GB hasta 64GB, a finales de este año.