Intel y Micron dijeron ayer que han comenzado la producción en masa de su primera memoria Flash NAND de 34nm. Su proceso de fabricación más pequeño permite la construcción de capaz de chips con 32 gigabits (4GB) de datos y en grandes lotes regulares utilizando obleas de 300mm. Esta tecnología es lo suficientemente pequeña como para permitir ocho núcleos por capa y permitiría dos capas apiladas como para llevar 64GB sin la necesidad de chips totalmente independientes.
La empresa dice que sus objetivos es el avance de la electrónica portátil, incluyendo teléfonos móviles, reproductores MP3 y dispositivos similares, donde el espacio de memoria es fundamental. También debe de producirse un gran aumento de la capacidad en las unidades de estado sólido (SSD) mediante la combinación de múltiples chips.
Tanto Intel como Micron no han dicho cuando las memorias de 34nm empezaran a enviarse, pero es probable empezar a ver dispositivos con estos chips de memoria a principios de 2009.
En estos momento, Intel se convierte en competencia directa con la compañía Toshiba, que espera enviar módulos de 32 gigabits sobre las mismas fechas. Empresas como Apple, creen que estos chips pueden mejorar el almacenamiento de los iPhone y el iPod Touch. Por ejemplo, en su diseño actual, sólo tiene espacio para un único chip de memoria, y le vendría muy bien esta nueva tecnología para pasar a 32GB de espacio.