Ciertamente en el desarrollo de componentes para ordenadores o para dispositivos móviles, los cuales sin duda alguna se han convertido en «mini-ordenadores de bolsillo», está llevando una tendencia en que estos mientras más pequeños, mejor, y es así como en el campo de los chips de almacenamiento, Samsung se adelantó al presentar en el pasado mes de abril su primera unidad NAND fabricada a 20 nanómetros, por lo que la gigante Intel ha esperado pero finalmente hoy se ha unido a la batalla.
El reconocido fabricante de chips ha presentado el día de hoy sus primeros chips de memoria NAND en 20 nanómetros, los cuales sin duda son sorprendentes y destacan 
al ofrecer el tipo de memoria NAND MLC la cual se construirá con capacidad de hasta 128 GB, lo que dobla a lo ofrecido por la surcoreana Samsung hace algunos meses.
Estas unidades están ideadas para el mercado móvil, como era de esperarse, aunque también para los discos sólidos (SSD) y equipos de alto rendimiento, y sin duda supone un enorme avance al comparar con las antiguas de 34 o 25 nm. Estas nuevas unidades de 20 nm llegarán primero que nada a los SSD de Intel que saldrán en el transcurso del próximo año 2012.
