Un nuevo informe sobre la innovación de Intel afirma que los ingenieros de esta gran empresa han descubierto alguna forma para utilizar los sustratos de silicios para poder reducir el calor y la tensión de salida de los próximos procesadores.
Intel dio algunos detalles sobre P-canal del transistor construido por sustratos de silicio, haciendo uso de semiconductores compuestos, este material también es conocido como III-V ya que están fabricadas por materiales que contienen silicio y este se encuentra en la columna IV.
Esta investigación dio el más alto de los rendimientos que el p-canal ha dado hasta la fecha. Un año antes Intel describió los transistores de III a V N-Canal también basado en sustratos de silicio. Al combinar estos dos resultados pudieron formar los cimientos de los circuitos CMOS, que utilizan en los transistores tanto P cono N-canal.
Según las noticias los procesadores de Intel en un futuro muy próximo estarán mucho más refrigerados, alrededor de ½ en tensión.
Fuente: Techpowerup
Parece una traducción, pero bueno, me recuerda las clases de electrónica del estado sólido en la universidad xD. Excelente por intel; por lo menos mi último procesador esta en consumo de 95W si modificaran su diseño para consumir la mitad sería de verdad interesante.
Buenas Shoko Gracias por tu comentario antes de nada, si algo que no entiendes te agradeceremos que nos lo digas para intentar ponerlo de una forma más adecuada para que lo entienda mejor.
Un saludillo.