JEDEC Solid State Technology Association, la principal firma del mundo cuando hablamos de la industria de la microelectrónica, ha anunciado en las últimas horas la publicación de una nueva actualización del estándar JESD235, que es ni más ni menos que el que regula el funcionamiento de la memoria de alto ancho de banda DRAM.
Por supuesto, se trata de una novedad por demás interesante si tenemos en cuenta que el protocolo HBM DRAM es utilizado para marcar elementos como el ancho de banda máximo, el ancho de banda por vatio, y otros tantos, de modo que afecta a los servidores, gráficos, redes, aplicaciones, y otros tantos, elementos, lo que por supuesto amplía las posibilidades de los usuarios y desarrolladores más allá de los límites clásicos de las memorias.
JESD235A se postula entonces como la nueva versión de protocolo al respecto, una que aprovechará al máximo todo lo relacionado con la tecnología Wide TSV E/S, con un alcance de hasta 8 GB, velocidades de hasta 256 GB/s, pilas con alturas de 2, 4 y hasta 8 alturas de TSV de DRAM, y otros tantos, que ofrecerán una flexibilidad mucho mayor a lo que estamos acostumbrados cuando de este tipo de sistemas se trata, sin perder de vista los nuevos sistemas de alerta de altas temperaturas.